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 Nitrogen‐Induced Changes in the Electronic and Structural Properties of 4H‐SiC (0001)/SiO2 Interfaces 氮诱导的4H-SiC（0001）/SiO2界面电子和结构性质的变化
相关领域
材料科学
密度泛函理论
氮气
电子结构
硅
氧化物
价（化学）
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化学物理
计算化学
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化学
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期刊：Physica status solidi. B, Basic research 作者：Lu Wang; Sarit Dhar; L. C. Feldman; Marcelo A. Kuroda 出版日期：2021-12-05 |
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