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Achieving a Low-Voltage, High-Mobility IGZO Transistor through an ALD-Derived Bilayer Channel and a Hafnia-Based Gate Dielectric Stack
通过ALD衍生的双层沟道和基于铪的栅极电介质堆叠实现低电压、高迁移率IGZO晶体管
相关领域
材料科学
光电子学
原子层沉积
薄膜晶体管
电介质
阈值电压
栅极电介质
高-κ电介质
晶体管
双层
电子迁移率
纳米技术
图层(电子)
电压
电气工程
膜
工程类
生物
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期刊:ACS applied materials & interfaces 作者:Min Hoe Cho; Cheol Hee Choi; Hyeon Joo Seul; Hyun Cheol Cho; Jae Kyeong Jeong 出版日期:2021-04-01 |
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