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 Silicon surface passivation of industrial n-type CZ Si (111) by Al2O3 layers deposited by thermal ALD process for application in carrier selective contact solar cells 通过热ALD工艺沉积的Al2O3层对工业n型CZ Si（111）的硅表面钝化用于载流子选择性接触太阳能电池
相关领域
钝化
原子层沉积
材料科学
载流子寿命
薄脆饼
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光电子学
分析化学（期刊）
沉积（地质）
太阳能电池
图层（电子）
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沉积物
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期刊：Journal of materials science. Materials in electronics 作者：Namitha Dsouza; Ashish Singh; Rajesh Maurya; Rajesh Kanakala; Ramakrishna Madaka; et al 出版日期：2023-05-01 |
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