Significant improvement of n-contact performance and wall plug efficiency of AlGaN-based deep UV LEDs by atomic layer etching

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标题	Significant improvement of n-contact performance and wall plug efficiency of AlGaN-based deep UV LEDs by atomic layer etching 原子层刻蚀显著提高AlGaN基深紫外LED的n接触性能和壁塞效率相关领域蚀刻（微加工）图层（电子）材料科学发光二极管光电子学火花塞复合材料机械工程工程类
备注	谷歌学术搜到文献连接，点开显示提前发布期刊订阅后才能访问，前来求助，显示期刊今年7月5日发布
网址	http://dx.doi.org/10.1364/ol.530719
DOI	10.1364/ol.530719 doi
其它	文献点击跳转后网页链接：https://opg.optica.org/ol/upcoming_pdf.cfm?id=530719
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