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 A simple expression for band gap narrowing (BGN) in heavily doped Si, Ge, GaAs and GexSi1−x strained layers 重掺杂Si、Ge、GaAs和GexSi1-x应变层带隙变窄的简单表达式
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期刊：Solid-State Electronics 作者：S.C. Jain; D.J. Roulston 出版日期：1991-05-01 |
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