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 A verified proton induced latch-up in space (CMOS SRAM) 验证的空间质子诱导锁存（CMOS SRAM）
相关领域
静态随机存取存储器
质子
CMOS芯片
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期刊：IEEE Transactions on Nuclear Science 作者：L. Adams; E. Daly; R. Harboe-Sörensen; R. Nickson; J. E. Haines; et al 出版日期：1992-12-01 |
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