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标题
Impact of Nanosecond Laser Annealing on the Electrical Properties of Highly Boron-Doped Ultrathin Strained Si0.7Ge0.3 Layers
纳秒激光退火对高掺硼超薄应变Si0.7Ge0.3层电学性能的影响
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网址
https://iopscience.iop.org/article/10.1149/MA2022-01291279mt...
DOI
10.1149/ma2022-01291279mtgabs doi
其它 期刊：ECS Meeting Abstracts
作者：Richard Daubriac; Rémi Demoulin; Sebastien Kerdiles; Pablo Acosta Alba; Jean-Michel Hartmann; et al
出版日期：2022-07-15
求助人
关耳 在 2024-12-22 18:01:45 发布自广东，悬赏 10 积分
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