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Mobility and stability improvements through in-situ AlOx passivation on extremely thin 2-nm-thick InOx back-gate FETs
通过原位AlOx钝化提高2纳米厚InOx背栅FET的迁移率和稳定性
相关领域
钝化
材料科学
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薄膜
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物理
量子力学
色谱法
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期刊:Japanese Journal of Applied Physics 作者:Chia-Tsong Chen; Wen-Hsin Chang; Toshifumi IRISAWA; Tatsuro MAEDA 出版日期:2024-12-10 |
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