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Suppression of interface states between nitride-based gate dielectrics and ultrathin-barrier AlGaN/GaN heterostructure with in situ remote plasma pretreatments
原位远程等离子体预处理抑制氮化物基栅极电介质与超薄势垒AlGaN/GaN异质结构之间的界面态
相关领域
材料科学
光电子学
异质结
电介质
原子层沉积
氮化硅
栅极电介质
宽禁带半导体
氮化物
阻挡层
晶体管
制作
半导体
硅
图层(电子)
纳米技术
电气工程
电压
工程类
病理
替代医学
医学
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期刊:Applied Physics Letters 作者:Fuqiang Guo; Sen Huang; Xinhua Wang; Tiantian Luan; Wen Shi; et al 出版日期:2021-03-01 |
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