| 标题 |
 Low-frequency noise characterization of gate oxide trap depth distribution of MOSFETs MOSFET栅氧化层陷阱深度分布的低频噪声表征
相关领域
材料科学
次声
氧化物
退火（玻璃）
噪音（视频）
MOSFET
光电子学
栅氧化层
等效氧化层厚度
晶体管
光谱学
计算物理学
电气工程
物理
声学
计算机科学
工程类
复合材料
电压
人工智能
冶金
图像（数学）
量子力学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Applied Physics Letters 作者：Hua Chen; Yanjun Zhang; Liang He 出版日期：2023-05-29 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
Leonardi
pcr163
寻道图强
完美的天空
JY
Singularity
Yziii
iNk
好困
HEIKU
菠菜
stuffmatter
lin
Cloud
一一
Clover04
夏来
WWXWWX
贰鸟
彳亍1117
皖公网安备34019202002308
