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标题
A new framework for performance prediction of advanced MOSFETs with plasma-induced recess structure and latent defect site
具有等离子体诱导凹槽结构和潜在缺陷位点的先进MOSFET性能预测的新框架
相关领域
等离子体 MOSFET 过程（计算） 降级（电信） 材料科学 分子动力学 计算机科学 光电子学 电子工程 化学 计算化学 工程类 晶体管 物理 电气工程 电压 操作系统 量子力学
网址
https://doi.org/10.1109/iedm.2008.4796720
DOI
10.1109/iedm.2008.4796720 doi
其它 期刊：
作者：Koji Eriguchi; Yoshinori Nakakubo; Asahiko Matsuda; Motohiro Kamei; Hiromichi Ohta; et al
出版日期：2008-12-01
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单薄不惜 在 2024-11-27 19:03:05 发布自河北，悬赏 10 积分
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