The degradation mechanism of high power S-band AlGaN/GaN HEMTs under high temperature

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标题	The degradation mechanism of high power S-band AlGaN/GaN HEMTs under high temperature 大功率S波段AlGaN/GaN HEMTs高温下的退化机制相关领域降级（电信）材料科学光电子学机制（生物学）宽禁带半导体功率（物理）工程物理电气工程物理工程类量子力学
网址	https://doi.org/10.1088/1361-6463/ad8455
DOI	10.1088/1361-6463/ad8455 doi
其它	期刊：Journal of Physics D Applied Physics 作者：Shumeng Yan; Tianying Yang; Tingting Yuan; Guoguo Liu; Tao Xu; et al 出版日期：2024-10-08
求助人	景辣条在 2024-11-25 22:51:12 发布自山西，悬赏 10 积分
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