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 Bandgap Engineering and Oxygen Vacancy Defect Electroactivity Inhibition in Highly Crystalline N-Alloyed Ga2O3 Films through Plasma-Enhanced Technology 高晶态N合金Ga2O3薄膜的带隙工程和氧空位缺陷电活性的等离子体增强抑制
相关领域
材料科学
带隙
氮气
溶解度
氧气
等离子体
空位缺陷
化学气相沉积
氧化物
光电子学
薄膜
半导体
分析化学（期刊）
纳米技术
化学工程
化学
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物理
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工程类
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期刊：Journal of Physical Chemistry Letters 作者：Huaile He; Chao Wu; Haizheng Hu; Shunli Wang; Fabi Zhang; et al 出版日期：2023-07-11 |
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