| 标题 |
 Degradation Mechanism of Normally-On AlGaN/GaN HEMTs Under Short-and Long-Term HTRB Stress 常开AlGaN/GaN HEMT在短期和长期HTRB应力下的退化机制
相关领域
降级（电信）
压力（语言学）
材料科学
光电子学
宽禁带半导体
氮化镓
期限（时间）
高电子迁移率晶体管
机制（生物学）
电子工程
晶体管
复合材料
电气工程
图层（电子）
物理
工程类
电压
哲学
语言学
量子力学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Yiqiang Chen; Meng Lu; Chang Liu; Min Liao 出版日期：2024-01-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
劲秉
请叫我风吹麦浪
yar
杳鸢
坚强的广山
不安青牛
Singularity
结实的含烟
pluto
cocolu
竹筏过海
藤椒辣鱼
子车茗
芝麻糊
眯眯眼的衬衫
aldehyde
彭于彦祖
毛豆
端庄乐珍
丰知然
皖公网安备34019202002308
