| 标题 |
 Elementary Screw and Mixed-Type Dislocations in 4H-SiC Characterized by X-Ray Topography Taken with Six Equivalent 11-28 <i>g</i>-Vectors and a Comparison to Etch Pit Evaluation 用六个等效11-28 i g/i-载体的X射线地形图特征化4 H-Si中的基本螺旋和混合型错位以及与蚀刻坑评估的比较
相关领域
材料科学
线程（蛋白质序列）
X射线
蚀刻（微加工）
结晶学
类型（生物学）
几何学
光学
复合材料
核磁共振
物理
数学
化学
蛋白质结构
生物
生态学
图层（电子）
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| 其它 |
期刊：Materials Science Forum 作者：Yong Zhao Yao; Yukari Ishikawa; Yoshihiro Sugawara; Yumiko Takahashi; Keiichi Hirano 出版日期：2017-05-15 |
| 求助人 | |
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