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 Opportunities in Device Scaling for 3-nm Node and Beyond: FinFET Versus GAA-FET Versus UFET 3nm节点及以上器件扩展的机遇：FinFET与GAA-FET与UFET
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Uttam Kumar Das; Tarun Kanti Bhattacharyya 出版日期：2020-06-01 |
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