Top gate engineering of field-effect transistors based on wafer-scale two-dimensional semiconductors

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标题	Top gate engineering of field-effect transistors based on wafer-scale two-dimensional semiconductors 基于晶圆级二维半导体的场效应晶体管顶栅工程相关领域材料科学晶体管逆变器光电子学场效应晶体管阈值电压逻辑门薄脆饼金属浇口栅极电介质电压兴奋剂半导体电气工程纳米技术电子工程栅氧化层工程类
网址	https://doi.org/10.1016/j.jmst.2021.08.021
DOI	10.1016/j.jmst.2021.08.021 doi
其它	期刊：Journal of Materials Science and Technology/Journal of materials science & technology 作者：Jialin Ma; Xinyu Chen; Yaochen Sheng; Ling Tong; Xiaojiao Guo; et al 出版日期：2022-04-01
求助人	陆紫安在 2024-07-14 16:18:10 发布自上海，悬赏 10 积分
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