标题 |
A Comprehensive Study of Nanosheet and Forksheet SRAM for Beyond N5 Node
用于Beyond N5节点的Nanosheet和Forksheet SRAM的综合研究
相关领域
静态随机存取存储器
电容
节点(物理)
电子工程
寄生电容
电气工程
材料科学
工程类
物理
电极
量子力学
结构工程
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DOI | |
其它 |
期刊:IEEE Transactions on Electron Devices 作者:Mohit Gupta; Pieter Weckx; P. Schuddinck; Doyoung Jang; Bilal Chehab; et al 出版日期:2021-08-01 |
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