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WSe2 N‐Type Negative Capacitance Field‐Effect Transistor with Indium Low Schottky Barrier Contact
具有铟低肖特基势垒接触的WSe2 N型负电容场效应晶体管
相关领域
材料科学
光电子学
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期刊:Advanced electronic materials 作者:Jianguo Dong; Zhe Sheng; Rui Yu; Wennan Hu; Yue Wang; et al 出版日期:2021-11-21 |
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