标题 |
High Tunneling Electroresistance in Ferroelectric Tunnel Junctions Based on 2-D Bilayer Ferroelectric CuInP$_\text{2}$Se$_\text{6}$/Ga$_\text{2}$OTEXPRESERVE3 van der Waals Heterostructure
基于二维双层铁电CuInP$_\text{2}$Se$_\text{6}$/Ga$_\text{2}$OTEXPRESERVE3范德华异质结构的铁电隧道结的高隧穿电阻
相关领域
铁电性
量子隧道
双层
异质结
范德瓦尔斯力
材料科学
凝聚态物理
光电子学
物理
化学
量子力学
膜
分子
电介质
生物化学
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其它 |
期刊:IEEE Transactions on Electron Devices 作者:Leitao Lei; Xiaohong Zheng; Yan-Hong Zhou; Ke‐Qiu Chen 出版日期:2024-08-01 |
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