标题 |
Research on Negative Bias Temperature Instability Effects Under the Coupling of Total Ionizing Dose Irradiation for PDSOI MOSFETs
总电离剂量耦合下PDSOI MOSFETs负偏压温度不稳定性效应的研究
相关领域
负偏压温度不稳定性
辐照
材料科学
阈值电压
MOSFET
光电子学
绝缘体上的硅
吸收剂量
电离辐射
压力(语言学)
硅
电压
电气工程
晶体管
物理
核物理学
语言学
哲学
工程类
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期刊:IEEE access 作者:Chao Peng; Rui Gao; Zhifeng Lei; Zhangang Zhang; Yiqiang Chen; et al 出版日期:2021-01-01 |
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