关于LiF做为隔层的原因或者说机理

综合讨论 4223 2
JTHe
JTHe 来自山西 发表于:2023-03-06 21:18:23

在10.1002/adfm.201503493

Synth. Met., 2007, 157, 640–643.

10.1039/C4TC02087A

这三篇文献中,LiF做为忆阻器中功能层和金属顶电极间的隔层,可以排除金属导电细丝参与记忆行为。LiF为什么能做为隔层?机理是什么?

 

 


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  • JTHe
    椅子
    JTHe (楼主) 2023-03-07 08:11:45 发布自山西
    在水一方LiF可以作为忆阻器中功能层和金属顶电极之间的隔层,主要是因为它具有较高的能隙和较大的电阻率,可以阻止电荷载流和禁止电子通道形成,从而实现忆阻器的记忆效应。

    具体机理如下:

    在忆阻器中,金属导电细丝与功能层之间的界面是一个非常关键的区域。这个界面可以看作是一个能带结构的转折点,其中导电细丝的电子态和功能层的电子态相互作用,从而在两者之间形成一个局部电子密度的峰。当施加外加电压时,由于电子通道的存在,这个电子密度峰可以通过金属导电细丝进行电荷传输,导致电流的变化,从而实现记忆效应。

    而LiF的加入可以改变这个界面的能带结构,从而阻止电荷载流和禁止电子通道的形成。具体来说,LiF的加入可以引入一些空能级,从而提高这个界面区域的能隙。此外,由于LiF的电阻率较高,电子通道的形成也会受到一定的限制,从而进一步减弱电荷传输的效应。因此,LiF可以作为一个有效的隔层材料,排除金属导电细丝参与记忆行为。

    总之,LiF作为忆阻器中的隔层材料,主要是通过改变金属导电细丝和功能层之间的能带结构,从而阻止电荷载流和禁止电子通道的形成,从而实现记忆效应。
    太感谢了
  • 在水一方
    沙发
    在水一方 站长12 2023-03-06 21:52:01 发布自乌克兰
    LiF可以作为忆阻器中功能层和金属顶电极之间的隔层,主要是因为它具有较高的能隙和较大的电阻率,可以阻止电荷载流和禁止电子通道形成,从而实现忆阻器的记忆效应。

    具体机理如下:

    在忆阻器中,金属导电细丝与功能层之间的界面是一个非常关键的区域。这个界面可以看作是一个能带结构的转折点,其中导电细丝的电子态和功能层的电子态相互作用,从而在两者之间形成一个局部电子密度的峰。当施加外加电压时,由于电子通道的存在,这个电子密度峰可以通过金属导电细丝进行电荷传输,导致电流的变化,从而实现记忆效应。

    而LiF的加入可以改变这个界面的能带结构,从而阻止电荷载流和禁止电子通道的形成。具体来说,LiF的加入可以引入一些空能级,从而提高这个界面区域的能隙。此外,由于LiF的电阻率较高,电子通道的形成也会受到一定的限制,从而进一步减弱电荷传输的效应。因此,LiF可以作为一个有效的隔层材料,排除金属导电细丝参与记忆行为。

    总之,LiF作为忆阻器中的隔层材料,主要是通过改变金属导电细丝和功能层之间的能带结构,从而阻止电荷载流和禁止电子通道的形成,从而实现记忆效应。
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