Seed-Assisted Synthesis of Ni(OH)2 Nanosheets on InGaN Films as Photoelectrodes toward Solar-Driven Water Splitting

材料科学 非阻塞I/O 分解水 可见光谱 光电子学 化学工程 图层(电子) 纳米技术 光催化 催化作用 化学 生物化学 工程类
作者
Yu-Tsun Yao,Ting-Wei Huang,Yung-Lan Chuang,Ming-Lun Lee,Jinn‐Kong Sheu
出处
期刊:ACS applied energy materials [American Chemical Society]
卷期号:6 (18): 9516-9522 被引量:1
标识
DOI:10.1021/acsaem.3c01489
摘要

In this study, we conducted photoelectrochemical (PEC) water-splitting reactions using indium gallium nitride (InGaN) as photoelectrodes to extend light absorption from ultraviolet to visible wavelengths. However, the bare InGaN films experience significant photocorrosion due to numerous defects resulting from the substantial lattice mismatches between GaN and InGaN. While Ni(OH)2 nanosheets, prepared through a hydrothermal method and decorated on the InGaN photoelectrodes, show promise in mitigating photocorrosion, incomplete coverage of Ni(OH)2 on the InGaN photoelectrodes leads to corrosion in the uncovered areas. To enhance the coverage of Ni(OH)2 nanosheets on InGaN-based photoelectrodes, we synthesized Ni(OH)2 nanosheets using a NiO nanofilm as the seed layer. Experimental results demonstrate that photoelectrodes made of the Ni(OH)2/NiO/InGaN composite films exhibit superior PEC performance compared to that of NiO-free InGaN photoelectrodes. Additionally, after stability tests, no significant photocorrosion was observed on the Ni(OH)2-coated InGaN surface with the NiO seed layer while achieving higher photocurrents and increased hydrogen production rates. The Ni(OH)2/NiO/InGaN photoelectrodes exhibit approximately 30% enhancement in photocurrents compared to the bare InGaN films.

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