Structural, Electronic, Optical, and Mechanical Properties of Cu(I)Au(III)‐Based Double Perovskites: A First‐Principles Study

带隙 直接和间接带隙 材料科学 声子 电介质 电子结构 密度泛函理论 吸收(声学) 凝聚态物理 卤化物 结晶学 化学 光电子学 计算化学 物理 无机化学 复合材料
作者
Chunbao Feng,Xin Luo,Qing Zhao,Changhe Wu,Tao Hu,Shichang Li,Shengnan Duan,Gang Tang,Gang Zhang,Dengfeng Li
出处
期刊:Physica Status Solidi (rrl) [Wiley]
标识
DOI:10.1002/pssr.202300128
摘要

Herein, the structural, electronic, optical, and mechanical properties of Cu(I)Au(III)‐based double perovskites using first‐principles calculations are investigated. Phonon calculation results confirm that pure halide Cs 2 CuAuX 6 (X = Cl, Br), mixed‐halide Cs 2 CuAuBr 4 Cl 2 and Cs 2 CuAuI 4 Br 2 , and strained Cs 2 CuAuI 6 (by 3% strain) are dynamically stable. Subsequently, the optoelectronic and mechanical properties of these compounds are calculated. The calculations reveal that Cs 2 CuAuX 6 exhibits slightly indirect‐bandgap semiconducting behavior, with the bandgaps of 1.169, 1.191, and 1.355 eV from the HSE06 hybrid functional for X = Cl, Br, and I, respectively. Meanwhile, the bandgap of Cs 2 CuAuI 6 decreases with the increase of strain from 1% to 3% (1.271, 1.148, and 1.037 eV, respectively). In addition, the results show that Cs 2 CuAuI 4 Br 2 ( E g HSE06 = 1.278 eV) has a suitable bandgap, which is close to the ideal direct bandgap. Moreover, Cs 2 CuAuI 4 Br 2 exhibits strong anisotropic visible light absorption with absorption coefficients exceeding 10 5 cm −1 and has a relatively large dielectric constant ( ε xx st = ε yy st = 36.27) along the ab plane. Furthermore, its Pugh's ratio (Poisson's ratio) value of 2.94(0.35) exceeds the critical value of 1.75(0.26), indicating its ductility and potential for use in flexible electronic devices.
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