Reducing Reverse Recovery Charge in Trench Power MOSFETs Using Platinum Traps Introduced by Implantation and PVD

沟槽 功率MOSFET 材料科学 光电子学 MOSFET 工程物理 电气工程 纳米技术 电压 物理 晶体管 工程类 图层(电子)
作者
Mrunal A. Khaderbad,Ali Houadef,Chris Rogers,Ian Cousins,Parag C. Waghmare,Deepak Pandey,Wesley Chih-Wei Hsu,Mohammad Amanullah,E. Efthymiou,Sami Ould-Ahmed,T. Böttcher,Matthias Klingbeil
标识
DOI:10.1109/ispsd59661.2024.10579630
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