Investigation of charge-trap memories with AlN based band engineered storage layers

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作者
G. Molas,J. P. Colonna,R. Kies,D. Belhachemi,Marc Bocquet,M. Gély,V. Vidal,P. Brianceau,E. Martínez,A.M. Papon,C. Licitra,L. Vandroux,Christoforos Theodorou,B. De Salvo
出处
期刊:Solid-state Electronics [Elsevier]
卷期号:58 (1): 68-74 被引量:4
标识
DOI:10.1016/j.sse.2010.11.030
摘要

This paper presents the investigation of the electrical properties of charge-trap memories with AlN based storage layers. The memory performance and reliability are studied in details and compared with the ones of a reference device using standard Si3N4 as storage layer. An engineered charge trapping layer is also proposed, made by an AlN/Si3N4 double layer, which shows reduced program/erase voltages, combined with 106 excellent endurance and good retention (ΔVT > 5 V after 10 years at 125 °C).
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