A Transient-Enhanced Low-Quiescent Current Low-Dropout Regulator With Buffer Impedance Attenuation

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作者
Mohammad Al-Shyoukh,Hoi Lee,R. Rivas‐Perez
出处
期刊:IEEE Journal of Solid-state Circuits [Institute of Electrical and Electronics Engineers]
卷期号:42 (8): 1732-1742 被引量:366
标识
DOI:10.1109/jssc.2007.900281
摘要

This paper presents a low-dropout regulator (LDO) for portable applications with an impedance-attenuated buffer for driving the pass device. Dynamically-biased shunt feedback is proposed in the buffer to lower its output resistance such that the pole at the gate of the pass device is pushed to high frequencies without dissipating large quiescent current. By employing the current-buffer compensation, only a single pole is realized within the regulation loop unity-gain bandwidth and over 65deg phase margin is achieved under the full range of the load current in the LDO. The LDO thus achieves stability without using any low-frequency zero. The maximum output-voltage variation can be minimized during load transients even if a small output capacitor is used. The LDO with the proposed impedance-attenuated buffer has been implemented in a 0.35-mum twin-well CMOS process. The proposed LDO dissipates 20-muA quiescent current at no-load condition and is able to deliver up to 200-mA load current. With a 1-muF output capacitor, the maximum transient output-voltage variation is within 3% of the output voltage with load step changes of 200 mA/100 ns.
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