Comparison of the annealing behavior of high-dose nitrogen-, aluminum-, and boron-implanted 4H–SiC

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作者
S. R. Seshadri,G.W. Eldridge,Anant Agarwal
出处
期刊:Applied Physics Letters [American Institute of Physics]
卷期号:72 (16): 2026-2028 被引量:46
标识
DOI:10.1063/1.121681
摘要

Room temperature free carrier concentrations exceeding 1×1018 cm−1 have been achieved with 1000 °C implants into 4H–SiC using N and Al (1×1017 cm−3 using B). A decrease in resistivity is observed for annealing temperatures above ∼1300, ∼1500, and ∼1750 °C for N, Al, and B, respectively. Rutherford backscattering spectroscopy measurements indicate almost complete recrystallization for N-implanted samples and partial recrystallization on the silicon, but not the carbon, sublattice for B- and Al-implanted samples. An implant and species related step formation is also observed. Only boron is observed to diffuse appreciably. A crystal stoichiometry and Fermi level dependent model is proposed to explain the activation results.
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