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Sr2(Ga/Al)TaO6:Cr3+ phosphor with tunable near-infrared emitting for light-emitting diodes and optical thermometer

荧光粉 发光 发光二极管 二极管 材料科学 离子 光电子学 红外线的 荧光 分析化学(期刊) 化学 光学 物理 有机化学 色谱法
作者
Ming‐Yong Han,Shuyang Chen,Jie Li,Zhen Gao,Yi Zeng,Yang Shen,Ying Tian,Degang Deng
出处
期刊:Journal of Alloys and Compounds [Elsevier]
卷期号:973: 172927-172927 被引量:4
标识
DOI:10.1016/j.jallcom.2023.172927
摘要

Near-infrared (NIR) phosphors is feasible for night vision and optical thermometry applications. We synthesized several NIR/red light-emitting Sr2(Ga/Al)TaO6:Cr3+ phosphors using a high-temperature solid-state reaction approach and then conducted in-depth research on the crystal structure, luminescence properties, quantum yields and temperature dependence of the materials. Adjusting the concentrations of Ga3+ and Al3+ within the tantalate host makes it possible to regulate the crystal field environment containing Cr3+ ions, thereby tuning their emission bandwidth. The occupancy of Cr3+ in Sr2(Ga/Al)TaO6 was discussed based on structural refinement and first principles. The results demonstrated that in the Sr2(Ga/Al)TaO6 host, Cr3+ ions occupied Ga3+/Al3+ and Ta5+ sites, exhibiting narrow-band emission derived from the 2E→4A2 transition and broad-band emission resulting from the 4T2→4A2 transition, respectively. Sr2GaTaO6:Cr3+ phosphor possesses a full width at half maximum of 130.9 nm at 473 K and maintains 67.85% thermal stability compared with ambient temperature when measured at 373 K. The integration of a light-emitting diode (LED) chip and a Sr2GaTaO6:Cr3+ phosphor was prepared as an NIR pc-LED device and applied to night vision, demonstrating its good potential in the field of NIR imaging. Furthermore, in the Sr2AlTaO6 host, the emission of Cr3+ ions at 707 nm (4T2→4A2 transition) and 740 nm (2E→4A2 transition) exhibited opposite temperature dependent characteristics. Using the utilization of fluorescence intensity ratio (FIR) technology, the relative sensitivity of Sr2AlTaO6:Cr3+ phosphor as an optical ratiometric thermometer could reach 2.18% K−1 at 293 K, demonstrating a prospective application for the material in temperature sensing.
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