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1D Crystallographic Etching of Few‐Layer WS2

材料科学 图层(电子) 蚀刻(微加工) 结晶学 纳米技术 化学
作者
Shisheng Li,Yung‐Chang Lin,Yee C. Chiew,Yunyun Dai,Zhiyuan Ning,Yaming Zhang,Hirochika Nakajima,Hong En Lim,Jing Wu,Yasuhisa Neitoh,Toshiya Okazaki,Yang Sun,Zhipei Sun,Kazu Suenaga,Kazuo Furuya,Kazuhito Tsukagoshi,Takaaki Taniguchi
出处
期刊:Advanced Functional Materials [Wiley]
标识
DOI:10.1002/adfm.202405665
摘要

Abstract Layer number‐dependent band structures and symmetry are vital for the electrical and optical characteristics of 2D transition metal dichalcogenides (TMDCs). Harvesting 2D TMDCs with tunable thickness and properties can be achieved through top‐down etching and bottom‐up growth strategies. In this study, a pioneering technique that utilizes the migration of in situ generated Na‐W‐S‐O droplets to etch out 1D nanotrenches in few‐layer WS 2 is reported. 1D WS 2 nanotrenches are successfully fabricated on the optically inert bilayer WS 2, showing pronounced photoluminescence and second harmonic generation signals. Additionally, the modulation of inkjet‐printed Na 2 WO 4 ‐Na 2 SO 4 particles to switch between the etching and growth modes by manipulating the sulfur supply is demonstrated. This versatile approach enables the creation of 1D nanochannels on 2D TMDCs. The research presents exciting prospects for the top‐down and bottom‐up fabrication of 1D‐2D mixed‐dimensional TMDC nanostructures, expanding their use for electronic and optoelectronic applications.
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