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Electronic and magnetic properties of 2D vanadium-based transition metal dichalcogenides

凝聚态物理 单层 居里温度 过渡金属 材料科学 哈密顿量(控制论) 各向异性 电子结构 铁磁性 化学 物理 纳米技术 量子力学 生物化学 数学 数学优化 催化作用 冶金
作者
Mirali Jafari,W. Rudziński,J. Barnaś,A. Dyrdał
出处
期刊:Scientific Reports [Springer Nature]
卷期号:13 (1)
标识
DOI:10.1038/s41598-023-48141-1
摘要

In this paper, electronic and magnetic properties of monolayers and bilayers of Vanadium-based transition metal dichalcogenides VX2 (X = S, Se, Te) in the H phase are investigated theoretically using methods based on DFT calculations as well as analytical methods based on effective spin Hamiltonians. The band structure has been computed for all systems, and then the results have been used to determine exchange parameters and magnetic anisotropy constants. These parameters are subsequently used for the determination of the Curie temperatures, hysteresis curves, and energy of spin-wave excitations. In the latter case, we compare analytical results based on effective spin Hamiltonian with those determined numerically by Quantum ATK software and find a good agreement. The determined Curie temperature for VTe2 monolayers and bilayers is below the room temperature (especially that for bilayers), while for the other two materials, i.e. for VS2 and VSe2, it is above the room temperature, in agreement with available experimental data.
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