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基因
量子力学
生物化学
作者
Shijuan Qin,Horthense D. Tamdem,Bryant Tsai,Zhiwei Huang,Shuilin Tian,Feng Huang,Ariel Guo,Weijie Yuan,Mark Cao
标识
DOI:10.1109/impact59481.2023.10348655
摘要
An all GaN (Gallium Nitride) HEMTs (High Electron Mobility Transistors) based 48V to 12V Voltage Regulator Common Module (VRCM) is proposed in this paper for datacenter 48V rack. Furthermore, to achieve higher power density, a single core integrated planner transformer is also proposed. Lastly, a prototype of 1MHz 1kW module is demonstrated, achieving peak efficiency of 98.27% with 54V Vin and power density above 1000W/inch 3 .
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