Strong interlayer coupling and unusual antisite defect-mediated p-type conductivity in GePx (x = 1, 2)

联轴节(管道) 电导率 类型(生物学) 材料科学 凝聚态物理 结晶学 物理 复合材料 地质学 化学 量子力学 古生物学
作者
Guoxujia Chen,Weiwei Meng,Xiaoxi Guan,Peili Zhao,Shuangfeng Jia,Zheng He,Dongshan Zhao,Jianbo Wang
出处
期刊:Nanoscale [The Royal Society of Chemistry]
卷期号:15 (20): 9139-9147 被引量:2
标识
DOI:10.1039/d3nr01677c
摘要

As an emerging candidate for anisotropic two-dimensional materials, the group IV-V family (e.g. GeP, GeP2) has appealing applications in photoelectronics. However, their intrinsic point defect properties, which largely determine the device performance and optimization, are still poorly explored. In our study, through density functional theory (DFT) calculations, antisite defects were affirmed to be dominant with the lowest formation energies in 2D GePx semiconductors because of the similar atomic size and electronegativity of elemental components, which is in contrast to previous calculations and experimental speculation. These antisite defects could introduce relatively shallow states within the bandgap in bulk cases. The transition energy levels and electronic structures of defects reveal that GeP and PGe antisites act as dominant acceptors and donors, respectively. Strong interlayer coupling between anions results in a significant upshift of the valence band maximum (VBM) and shallower acceptor behaviors of GePx. Together with the dominant GeP antisite defect, the large upshift of the VBM in GeP leads to a remarkable transition of conductivity from intrinsic in the monolayer to p-type in the bulk. Such a synergistic effect in GeP2 is rather weak due to the strong inherent intralayer coupling of anions. Our research provides deep insights into the strong anion coupling effects on the electronic structures and defect properties of GeP and GeP2, which sheds light on defect engineering and electronic applications of GePx based semiconductors.
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