Layered post-transition-metal dichalcogenide SnGe2N4 as a promising photoelectric material: a DFT study

过渡金属 光电效应 材料科学 金属 纳米技术 结晶学 化学 光电子学 冶金 催化作用 生物化学
作者
Vo Duy Dat,Tuan V. Vu
出处
期刊:RSC Advances [The Royal Society of Chemistry]
卷期号:12 (17): 10249-10257 被引量:4
标识
DOI:10.1039/d2ra00935h
摘要

The promising photoelectric semiconductor 2H SnGe 2 N 4 has a tunable electronic structure which is favorable for the absorption of light in the infrared and visible regions.
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