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作者
Alireza Yasan,Ryan McClintock,K. Mayes,S. R. Darvish,Patrick Kung,Manijeh Razeghi
摘要
We demonstrate light emission at 280 nm from UV light-emitting diodes consisting of AlInGaN/AlInGaN multiple quantum wells. Turn-on voltage of the devices is ∼5 V with a differential resistance of ∼40 Ω. The peak emission wavelength redshifts ∼1 nm at high injection currents.
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