Giant and zero electron g factors of dilute nitride semiconductor nanowires

纳米线 凝聚态物理 电场 材料科学 电子 半导体 兴奋剂 氮化物 纳米技术 物理 光电子学 量子力学 图层(电子)
作者
X. W. Zhang,W. J. Fan,S. S. Li,Jian‐Bai Xia
出处
期刊:Applied Physics Letters [American Institute of Physics]
卷期号:90 (19) 被引量:11
标识
DOI:10.1063/1.2728749
摘要

The electronic structures and electron g factors of InSb1−sNs and GaAs1−sNs nanowires and bulk material under the magnetic and electric fields are investigated by using the ten-band k∙p model. The nitrogen doping has direct and indirect effects on the g factors. A giant g factor with absolute value larger than 900 is found in InSb1−sNs bulk material. A transverse electric field can increase the g factors, which has obviously asymmetric effects on the g factors in different directions. An electric field tunable zero g factor is found in GaAs1−sNs nanowires.
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