A 2-dB noise figure 900-MHz differential CMOS LNA

NMOS逻辑 PMOS逻辑 CMOS芯片 噪声系数 电气工程 低噪声放大器 电子工程 放大器 计算机科学 工程类 电压 晶体管
作者
F. Gatta,E. Sacchi,Francesco Svelto,P. Vilmercati,R. Castello
出处
期刊:IEEE Journal of Solid-state Circuits [Institute of Electrical and Electronics Engineers]
卷期号:36 (10): 1444-1452 被引量:94
标识
DOI:10.1109/4.953472
摘要

This paper proposes a new circuit topology for RF CMOS low noise amplifier (LNA). Since pMOS devices are approaching the performances of nMOS devices in scaled technologies, the idea is to realize the input stage shunting an inductively degenerated nMOS stage with a pMOS one. In this way, due to the inherent current reuse, the performances can be improved using the same power consumption. Since the devices of an inductively degenerated input stage are working in moderate inversion (at least at moderate power dissipation), prior to the stage optimization an appropriate moderate inversion model is introduced. A fully differential 900-MHz 0.35-/spl mu/m CMOS LNA (plus output buffer) prototype achieves the following performances: 2-dB noise figure (NF), 17.5-dB power gain, -6-dBm IIP3 with 8-mA current consumption from a 2.7-V voltage supply. To the author's knowledge, this is the lowest reported NF for a fully differential CMOS LNA operating at this power consumption level. As an additional feature, this LNA has a programmable gain.
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