Effect of Grain Boundaries and Local Variation Influence of Current Density and Temperature on the Electromigration Damage in Gold Thin Films

电迁移 材料科学 晶界扩散系数 价(化学) 阴极 阳极 薄膜 凝聚态物理 晶界 化学物理 化学 复合材料 电流密度 纳米技术 微观结构 物理化学 物理 有机化学 电极 量子力学
作者
J. C. Rouais,G. Lormand,M. Chevreton
出处
期刊:Japanese Journal of Applied Physics [Institute of Physics]
卷期号:13 (S1): A861A-A861A 被引量:2
标识
DOI:10.7567/jjaps.2s1.a861a
摘要

The value of activation energy for electromigration failure in gold thin films (0,85±0,17 e.v.) show that the grain boundary diffusion is very important. According to the elastic collisions hypothesis the electron flow promotes a normal force on the grain boundary which does not produce diffusion along the boundaries. On the opposite the electric field produces on the boundary ions a force always directed toward the cathode. Therefore the effective valence is positive, although mass accumulation on the anode side of voids is suggesting an effective negative valence for gold. This is not a contradiction: the modification of current lines around the voids results local current density and temperature variations, great enough for bulk electromigration (effective negative valence).
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