Charge transport in amorphous InGaZnO thin-film transistors

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作者
Wijnand Chr. Germs,Willem H. Adriaans,Ashutosh Tripathi,W. S. Christian Roelofs,Brian Cobb,René A. J. Janssen,Gerwin H. Gelinck,Martijn Kemerink
出处
期刊:Physical Review B [American Physical Society]
卷期号:86 (15) 被引量:81
标识
DOI:10.1103/physrevb.86.155319
摘要

We investigate the mechanism of charge transport in indium gallium zinc oxide (a-IGZO), an amorphous metal-oxide semiconductor. We measured the field-effect mobility and the Seebeck coefficient ($S=\ensuremath{\Delta}V/\ensuremath{\Delta}T$) of a-IGZO in thin-film transistors as a function of charge-carrier density for different temperatures. Using these transistors, we further employed a scanning Kelvin probe-based technique to determine the density of states of a-IGZO that is used as the basis for the modeling. After comparing two commonly used models, the band transport percolation model and a mobility edge model, we find that both cannot describe the full properties of the charge transport in the a-IGZO semiconductor. We, therefore, propose a model that extends the mobility edge model to allow for variable range hopping below the mobility edge. The extended mobility edge model gives a superior description of the experimental results. We show that the charge transport is dominated by variable range hopping below, rather than by bandlike transport above the mobility edge.
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