Equivalent circuit analysis model of charge-controlled memristor and its circuit characteristics

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作者
Hu Feng-Wei,Bao Bo-Cheng,Huagan Wu,Chunli Wang
出处
期刊:Chinese Physics [Science Press]
卷期号:62 (21): 218401-218401 被引量:16
标识
DOI:10.7498/aps.62.218401
摘要

Memristor realized physically is recently a basic two-terminal circuit element with memory property. Based on Taylor series form of φ-q relationship, a charge-controlled memristor equivalent circuit analysis model is built. A charge-controlled memristor model with cubic nonlinearity is taken, as an example, to make a theoretical analysis of circuit characteristics, such as voltage-current relationship, active-passive property, and so on, of the charge-controlled memristor with different parameters. Results indicate that the voltage-current relationship of the charge-controlled memristor has an italic “8” shaped hysteresis loop characteristic, and the charge-controlled memristor shows passivity and activity accompanied with the variations of parameter symbols, resulting in the occurrence of the corresponding variations of circuit characteristics; compared with the passive memristor, the active memristor is more suitable for use as a second harmonic signal generation circuit. An experiment circuit is built based on the equivalent circuit of the charge-controlled memristor characteristic analysis, and the experimental results well verify the theoretical analysis.
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