InGaN multiple quantum well based light-emitting diodes with indium composition gradient InGaN quantum barriers

光电子学 发光二极管 材料科学 量子效率 波段图 量子阱 二极管 光子学 量子 载流子产生和复合 铟镓氮化物 激光器 光学 物理 带隙 半导体 量子力学
作者
Xien Sang,Yuan Xu,Mengshuang Yin,Fang Wang,Juin J. Liou,Yuhuai Liu
出处
期刊:Optoelectronics Letters [Springer Science+Business Media]
卷期号:20 (2): 89-93 被引量:2
标识
DOI:10.1007/s11801-024-3099-0
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