Impact of nucleation temperature on growth uniformity of GaN on 4-inch dome-patterned sapphire substrate

成核 材料科学 蓝宝石 半径 基质(水族馆) 光电子学 位错 图层(电子) 结晶学 复合材料 光学 热力学 化学 地质学 激光器 物理 海洋学 计算机科学 计算机安全
作者
Nor Syafiqah Azmi,Muhammad Naim Mazlan,Mohd Ikram Md Taib,M.A. Ahmad,Mohd Shahrul Nizam Samsuri,Marwan Mansor,Muhammad Iznul Hisyam,Ahmad Shuhaimi,N. Zainal
出处
期刊:Materials Science in Semiconductor Processing [Elsevier]
卷期号:173: 108177-108177 被引量:2
标识
DOI:10.1016/j.mssp.2024.108177
摘要

Considerable demands for energy-efficient visible LEDs nowadays have led to a pressing need for high-quality GaN/sapphire templates with large diameters. One of the major challenges to achieve the goal is to obtain good growth uniformity across the entire area of the templates. This paper attempts to improve the growth uniformity for GaN layers on 4-inch dome-patterned sapphire substrate (DPSS) by optimising the GaN nucleation temperature. Here, the nucleation temperature was varied at 520 °C, 550 °C, 570 °C, 590 °C, and 620 °C. In comparison to the case with 520 °C and 620 °C nucleation, the threading dislocation density (TDD) at three different positions (i.e. centre, half-radius on the right side and half-radius on the left side) of the GaN layers grown with 550 °C–590 °C nucleation was relatively lower and the result was consistent among the positions. Meanwhile, the average in-plane strain was higher for these GaN layers compared to the case with 520 °C and 620 °C nucleation. This might be associated with the improvement of the crystalline structure of the layers. Moreover, for the GaN layers with the nucleation of 520 °C–590 °C, the surface was atomically smoother and showed step-flow characteristics at the three positions. It can be suggested that the nucleation at 520 °C–590 °C favoured the growth on the trenches rather than the sidewalls, thereby suppressing multiple growth orientations. Subsequently, an InGaN blue LED was grown on GaN layer with the optimised nucleation temperature. It was found that the electrical and optical characteristics of different LED chips are fairly uniform.

科研通智能强力驱动
Strongly Powered by AbleSci AI
更新
大幅提高文件上传限制,最高150M (2024-4-1)

科研通是完全免费的文献互助平台,具备全网最快的应助速度,最高的求助完成率。 对每一个文献求助,科研通都将尽心尽力,给求助人一个满意的交代。
实时播报
1秒前
可可可126完成签到 ,获得积分10
2秒前
3秒前
Jarvis完成签到,获得积分10
3秒前
pengGuo完成签到,获得积分20
4秒前
淮安重午发布了新的文献求助10
5秒前
5秒前
一只五条悟完成签到,获得积分10
5秒前
柳行天完成签到 ,获得积分10
7秒前
yz发布了新的文献求助50
8秒前
8秒前
费费发布了新的文献求助10
9秒前
彪壮的小玉完成签到 ,获得积分10
12秒前
辛勤南琴发布了新的文献求助10
13秒前
舒适的亦瑶完成签到,获得积分10
14秒前
15秒前
小韩同学发布了新的文献求助10
15秒前
16秒前
17秒前
辛勤南琴完成签到,获得积分10
19秒前
文艺的忘幽关注了科研通微信公众号
20秒前
20秒前
cj完成签到,获得积分10
21秒前
赘婿应助hxl采纳,获得10
22秒前
22秒前
哈哈发布了新的文献求助10
23秒前
奥黛丽赫本完成签到,获得积分10
23秒前
25秒前
赘婿应助yz采纳,获得10
25秒前
Singularity应助王哈哈采纳,获得10
26秒前
陈伟杰发布了新的文献求助10
27秒前
Jasper应助勤劳的雁凡采纳,获得10
28秒前
爆米花应助勤恳山晴采纳,获得10
28秒前
彪壮的三问关注了科研通微信公众号
28秒前
ABS发布了新的文献求助10
29秒前
熬夜猫发布了新的文献求助10
29秒前
万能图书馆应助怡然沅采纳,获得10
30秒前
lizi完成签到,获得积分20
30秒前
乐乐应助xiaping4238采纳,获得10
31秒前
31秒前
高分求助中
中国国际图书贸易总公司40周年纪念文集 大事记1949-1987 2000
TM 5-855-1(Fundamentals of protective design for conventional weapons) 1000
草地生态学 880
Threaded Harmony: A Sustainable Approach to Fashion 799
Basic Modern Theory of Linear Complex Analytic 𝑞-Difference Equations 510
Queer Politics in Times of New Authoritarianisms: Popular Culture in South Asia 500
Livre et militantisme : La Cité éditeur 1958-1967 500
热门求助领域 (近24小时)
化学 医学 生物 材料科学 工程类 有机化学 生物化学 物理 内科学 纳米技术 计算机科学 化学工程 复合材料 基因 遗传学 催化作用 物理化学 免疫学 量子力学 细胞生物学
热门帖子
关注 科研通微信公众号,转发送积分 3058972
求助须知:如何正确求助?哪些是违规求助? 2714902
关于积分的说明 7443121
捐赠科研通 2360409
什么是DOI,文献DOI怎么找? 1250713
科研通“疑难数据库(出版商)”最低求助积分说明 607512
版权声明 596432