Formation Mechanisms of High-density Growth Twins in Aluminum with High Stacking-Fault Energy

材料科学 堆积 层错能 叠加断层 能量密度 高能 结晶学 冶金 工程物理 位错 复合材料 化学 物理 工程类 核磁共振
作者
Daniel Charles Bufford,Y. W. Liu,Y. S. Zhu,Zhuming Bi,Q. X. Jia,Haiyan Wang,X. Y. Zhang
出处
期刊:Materials research letters [Informa]
卷期号:1 (1): 51-60 被引量:72
标识
DOI:10.1080/21663831.2012.761654
摘要

Nanotwins readily form in numerous face-centered-cubic (fcc) metals with low stacking-fault energy (SFE). However, growth twins rarely form in Al due to its high SFE, ∼120–165 mJ/m2. Here, using thin inter-layers or buffer layers of a low-SFE fcc metal (Ag), we overcome the SFE barrier and successfully grow high-density coherent and incoherent twin boundaries into Al. We identify three mechanisms that induce growth twins in Al and demonstrate enhanced mechanical strength in twinned Al. This study reveals an effective means that may be generalized to control growth twin formation in fcc metals with high SFE.
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