Less is More: Dopant‐Free Hole Transporting Materials for High‐Efficiency Perovskite Solar Cells

材料科学 掺杂剂 钙钛矿(结构) 光伏 能量转换效率 制作 光电子学 兴奋剂 工程物理 纳米技术 化学工程 光伏系统 电气工程 工程类 病理 医学 替代医学
作者
Weiqi Zhou,Zhenhai Wen,Peng Gao
出处
期刊:Advanced Energy Materials [Wiley]
卷期号:8 (9) 被引量:253
标识
DOI:10.1002/aenm.201702512
摘要

Abstract Perovskite solar cells have delivered power conversion efficiency beyond 22% in less than seven years, implying the potential for the paradigm shift of low‐cost photovoltaics with high efficiency and low embedded energy. Besides the “perovskite fever,” the development of new hole transport materials (HTM), especially dopant‐free HTMs, is another research hotspot. This is because the currently used HTMs, such as spiro‐OMeTAD derivatives, require additional chemical doping process to ensure sufficient conductivity and proper ionic potential level for efficient hole transport and collection. However, the commonly used dopants are volatile and hygroscopic which not only increase the complexity and cost of device fabrication but also deteriorate the device stability. So far, there have been several reviews on new HTMs, but review or analysis on dopant‐free HTMs is scarce. In this review, all reported dopant‐free HTMs are categorized into four primary different types and lessons will be learned during the separate discussions. The stability test behavior of all the intrinsic HTMs will be evaluated directly. In the end, the correlations between the properties of the intrinsic HTMs and parameters of the devices will be plotted to shed light on the future direction of development of this field.
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