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Integrated Memory Devices Based on 2D Materials

计算机科学 范围(计算机科学) 材料科学 物联网 计算机数据存储 纳米技术 大数据 计算机体系结构 嵌入式系统 分布式计算 计算机硬件 操作系统 程序设计语言
作者
Fei Xue,Chenhui Zhang,Yinchang Ma,Yan Wen,Xin He,Fei Xue,Xixiang Zhang
出处
期刊:Advanced Materials [Wiley]
卷期号:34 (48) 被引量:45
标识
DOI:10.1002/adma.202201880
摘要

With the advent of the Internet of Things and big data, massive data must be rapidly processed and stored within a short timeframe. This imposes stringent requirements on memory hardware implementation in terms of operation speed, energy consumption, and integration density. To fulfill these demands, 2D materials, which are excellent electronic building blocks, provide numerous possibilities for developing advanced memory device arrays with high performance, smart computing architectures, and desirable downscaling. Over the past few years, 2D-material-based memory-device arrays with different working mechanisms, including defects, filaments, charges, ferroelectricity, and spins, have been increasingly developed. These arrays can be used to implement brain-inspired computing or sensing with extraordinary performance, architectures, and functionalities. Here, recent research into integrated, state-of-the-art memory devices made from 2D materials, as well as their implications for brain-inspired computing are surveyed. The existing challenges at the array level are discussed, and the scope for future research is presented.
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