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Large-Scale Production and Optical Properties of a High-Quality SnS2 Single Crystal Grown Using the Chemical Vapor Transportation Method

拉曼光谱 X射线光电子能谱 单晶 材料科学 Crystal(编程语言) 化学气相沉积 光电子学 GSM演进的增强数据速率 质量(理念) 纳米技术 化学工程 结晶学 化学 计算机科学 光学 电信 认识论 物理 工程类 哲学 程序设计语言
作者
Prashant Tripathi,Arun Kumar,Prashant K. Bankar,Kedar Singh,Bipin Kumar Gupta
出处
期刊:Crystals [Multidisciplinary Digital Publishing Institute]
卷期号:13 (7): 1131-1131 被引量:2
标识
DOI:10.3390/cryst13071131
摘要

The scientific community believes that high-quality, bulk layered, semiconducting single crystals are crucial for producing two-dimensional (2D) nanosheets. This has a significant impact on current cutting-edge science in the development of next-generation electrical and optoelectronic devices. To meet this ever-increasing demand, efforts have been made to manufacture high-quality SnS2 single crystals utilizing low-cost CVT (chemical vapor transportation) technology, which allows for large-scale crystal production. Based on the chemical reaction that occurs throughout the CVT process, a viable mechanism for SnS2 growth is postulated in this paper. Optical, XRD with Le Bail fitting, TEM, and SEM are used to validate the quality, phase, gross structural/microstructural analyses, and morphology of SnS2 single crystals. Furthermore, Raman, TXRF, XPS, UV–Vis, and PL spectroscopy are used to corroborate the quality of the SnS2 single crystals, as well as the proposed energy level diagram for indirect transition in the bulk SnS2 single crystals. As a result, the suggested method provides a cost-effective method for growing high-quality SnS2 single crystals, which could lead to a new alternative resource for producing 2D SnS2 nanosheets, which are in great demand for designing next-generation optoelectronic and quantum devices.
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