Structural, electrical, morphological, and interfacial characteristics of lattice-matched InAlN/GaN HEMT structure on SiC substrate

高电子迁移率晶体管 材料科学 光电子学 外延 表面粗糙度 异质结 格子(音乐) 晶格常数 基质(水族馆) 晶体管 表面光洁度 电子迁移率 纳米技术 图层(电子) 复合材料 光学 海洋学 物理 量子力学 电压 地质学 声学 衍射
作者
Kanika Narang,Rajesh K. Bag,Akhilesh Pandey,A. Goyal,Vikash Singh,Jaya Lohani,B. S. Yadav,Sachin Saini,Purnima Bharti,Sandeep Dalal,M. V. G. Padmavati,Renu Tyagi,Rajendra Singh
出处
期刊:Journal of Applied Physics [American Institute of Physics]
卷期号:134 (14)
标识
DOI:10.1063/5.0141724
摘要

This work highlights the influence of surface properties, on the characteristics of InAlN/GaN based high electron mobility transistor (HEMT) structures grown on the SiC substrate by metalorganic vapor phase epitaxy. The growth parameters, i.e., reactor pressure and V/III ratio were tuned to improve the morphological and two-dimensional electron gas (2DEG) characteristics of the HEMT structure. It was found that V/III ratio plays a significant role in improving surface morphology and 2DEG properties without altering average indium composition. It was also found that 2DEG properties are highly sensitive to surface morphology and its features. The step flow smooth surface morphology with very low surface and interface roughness was observed in optimized lattice-matched InAlN/GaN HEMT structures. The sheet resistance of ∼170 Ω/sq with good 2DEG concentration (∼2.4 × 1013 cm−2) and 2DEG mobility (∼1500 cm2/V s) was achieved in the optimized lattice-matched InAlN/GaN HEMT structure. A comparison between different barrier-based HEMT structures, i.e., lattice-matched InAlN/GaN and strained AlGaN/GaN, was also discussed. Their structural, electrical, morphological, and interfacial characteristics were compared.
最长约 10秒,即可获得该文献文件

科研通智能强力驱动
Strongly Powered by AbleSci AI
更新
大幅提高文件上传限制,最高150M (2024-4-1)

科研通是完全免费的文献互助平台,具备全网最快的应助速度,最高的求助完成率。 对每一个文献求助,科研通都将尽心尽力,给求助人一个满意的交代。
实时播报
ping777755发布了新的文献求助10
1秒前
车青亦发布了新的文献求助10
1秒前
Lucky小M发布了新的文献求助10
1秒前
1秒前
1秒前
3秒前
3秒前
4秒前
21关闭了21文献求助
4秒前
ZYLZYL发布了新的文献求助10
4秒前
mao发布了新的文献求助10
5秒前
科目三应助明天采纳,获得10
6秒前
6秒前
7秒前
yiyi完成签到 ,获得积分10
7秒前
8秒前
9秒前
9秒前
za完成签到 ,获得积分10
9秒前
more给坚强的严青的求助进行了留言
9秒前
风中远山发布了新的文献求助10
10秒前
搜集达人应助在远方采纳,获得10
10秒前
10秒前
烟花应助甜甜寄凡采纳,获得10
10秒前
kuma完成签到,获得积分10
10秒前
Orange应助dongdong采纳,获得10
11秒前
贪玩手链发布了新的文献求助10
11秒前
彭于彦祖应助韦雪莲采纳,获得20
12秒前
13秒前
14秒前
任性晓霜发布了新的文献求助10
15秒前
传奇3应助秋收冬藏采纳,获得10
15秒前
xjjw发布了新的文献求助10
16秒前
哎嘿应助gaojunsdutcm采纳,获得10
16秒前
情怀应助敬老院N号采纳,获得10
17秒前
17秒前
王莉发布了新的文献求助20
18秒前
18秒前
18秒前
Hello应助花花花花采纳,获得10
19秒前
高分求助中
Evolution 10000
Sustainability in Tides Chemistry 2800
юрские динозавры восточного забайкалья 800
English Wealden Fossils 700
An Introduction to Geographical and Urban Economics: A Spiky World Book by Charles van Marrewijk, Harry Garretsen, and Steven Brakman 600
Diagnostic immunohistochemistry : theranostic and genomic applications 6th Edition 500
Chen Hansheng: China’s Last Romantic Revolutionary 500
热门求助领域 (近24小时)
化学 医学 生物 材料科学 工程类 有机化学 生物化学 物理 内科学 纳米技术 计算机科学 化学工程 复合材料 基因 遗传学 催化作用 物理化学 免疫学 量子力学 细胞生物学
热门帖子
关注 科研通微信公众号,转发送积分 3152350
求助须知:如何正确求助?哪些是违规求助? 2803575
关于积分的说明 7854759
捐赠科研通 2461234
什么是DOI,文献DOI怎么找? 1310176
科研通“疑难数据库(出版商)”最低求助积分说明 629138
版权声明 601765