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Self-driven carbon atom implantation into fullerene embedding metal–carbon cluster

碳纤维 碳化钒 结晶学 化学 星团(航天器) 金属 碳化物 Atom(片上系统) 富勒烯 内面体富勒烯
作者
Runnan Guan,Zuo-Chang Chen,Jing Huang,Han-Rui Tian,Jinpeng Xin,Si-Wei Ying,Muqing Chen,Qianyan Zhang,Qunxiang Li,Su-Yuan Xie,Lan-Sun Zheng,Shangfeng Yang
出处
期刊:Proceedings of the National Academy of Sciences of the United States of America [National Academy of Sciences]
卷期号:119 (39)
标识
DOI:10.1073/pnas.2202563119
摘要

Hundreds of members have been synthesized and versatile applications have been promised for endofullerenes (EFs) in the past 30 y. However, the formation mechanism of EFs is still a long-standing puzzle to chemists, especially the mechanism of embedding clusters into charged carbon cages. Here, based on synthesis and structures of two representative vanadium–scandium–carbido/carbide EFs, VSc 2 C@ I h (7)-C 80 and VSc 2 C 2 @ I h (7)-C 80 , a reasonable mechanism—C 1 implantation (a carbon atom is implanted into carbon cage)—is proposed to interpret the evolution from VSc 2 C carbido to VSc 2 C 2 carbide cluster. Supported by theoretical calculations together with crystallographic characterization, the single electron on vanadium (V) in VSc 2 C@ I h (7)-C 80 is proved to facilitate the C 1 implantation. While the V=C double bond is identified for VSc 2 C@ I h (7)-C 80 , after C 1 implantation the distance between V and C atoms in VSc 2 C 2 @ I h (7)-C 80 falls into the range of single bond lengths as previously shown in typical V-based organometallic complexes. This work exemplifies in situ self-driven implantation of an outer carbon atom into a charged carbon cage, which is different from previous heterogeneous implantation of nonmetal atoms (Group-V or -VIII atoms) driven by high-energy ion bombardment or high-pressure offline, and the proposed C 1 implantation mechanism represents a heretofore unknown metal–carbon cluster encapsulation mechanism and can be the fundamental basis for EF family genesis.

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