Atomic-Scale Observation of Stacking Domain Structures in a Semiconducting Van Der Waals Ferrovalley Material VAgP2Se6

范德瓦尔斯力 点反射 堆积 凝聚态物理 原子单位 对称(几何) 扫描透射电子显微镜 材料科学 物理 化学物理 纳米技术 透射电子显微镜 量子力学 几何学 分子 核磁共振 数学
作者
Leixin Miao,Seng Huat Lee,Jingyang He,Venkatraman Gopalan,Zhiqiang Mao,Nasim Alem
出处
期刊:Research Square - Research Square
标识
DOI:10.21203/rs.3.rs-2289607/v1
摘要

Abstract The van der Waals (vdW) ferrovalley materials show spontaneous valley polarization without external tuning by simultaneously possessing the valley degree of freedom and the broken time-reversal symmetry but are extremely rare. The ferrovalley crystals with spin-orbital coupling are predicted to generate novel quantum phenomena in two-dimensional thin layers, such as the anomalous valley Hall effect. However, due to the reduced symmetry, a potential issue in vdW ferrovalley materials is their complex domain structures. Here, we report domain structure studies in a semiconducting vdW ferrovalley material VAgP 2 Se 6 . Our studies reveal clear evidence of second harmonic generation (SHG) response and magnetic hysteresis loop in the bulk VAgP 2 Se 6 crystals suggesting spontaneously broken inversion and time-reversal symmetry. We image its domain structures directly at atomic resolution using aberration-corrected scanning transmission electron microscopy (AC-STEM). Six variants of domains stacking along the c -axis are observed and can be well understood via group theory analysis. The domain structures of vdW materials can create naturally occurring heterostructures that could alter the electronic structures and may lead to topological interfacial states but have not been explored extensively. Our findings open the possibilities for observing and understanding exotic quantum phenomena in vdW ferrovalley materials by engineering the domain structures.
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