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作者
Qi Fu,Lei Yang,Wenhui Wang,Ali Han,Jian Huang,Pingwu Du,Zhiyong Fan,Jingyu Zhang,Bin Xiang
出处
期刊:ChemInform
[Wiley]
日期:2015-10-01
卷期号:46 (43)
标识
DOI:10.1002/chin.201543018
摘要
Abstract Monolayer WS 2(1‐x) Se 2x (x = 0.18, 0.3, 0.43) is are prepared by simultaneous sulfurization and selenation of WO 3 deposited by CVD with 5% H 2 /Ar as the carrier gas on a Si/SiO 2 (300 nm) substrate in a two‐zone heater (830 °C at the WO 3 deposition site, 300 °C at the S/Se site, 15 min).
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